产品描述

中科原子ICMOS相机是依靠光纤光锥将CMOS图像传感器直接耦合像增强器的增强型相机，本系列产品 具有结构紧凑、体积小、低功耗，畸变低等特点，可实现低照度、高分辨、宽动态、大面积图像输出，并可根据不同应用场景支持产品定制化。

 

  ICMOS 结构

工作原理

借助像增强器图像增强功能，将像增强器通过中继耦合器件耦合到CMOS图像传感器构成增强型CMOS相机（ICMOS），从而获得两个重要特性：一是通过选择适当的像增强器输入窗、光电阴极和滤光片，使得ICMOS光谱响应可从可见光扩展到X射线、紫外区、近红外区，以用于各种用途；二是相机灵敏度得到大幅度提升，可达到10-4lx，是解决普通摄像器件微光成像的重要手段。

   

像增强器原理图

应用场景、应用领域综述

ICMOS相机以像增强器为核心，通过脉冲高压控制光-电-光-电转换，实现弱光信号的增益；采用先进的光-机-电工艺集成像增强器、皮秒/纳秒门控模块、时序模块、光锥、CMOS传感器等为一体，是一种具有短光学门控选通功能的弱光信号同步探测利器，广泛应用于弱光成像、距离选通、燃烧诊断、时域拉曼、三维成像、荧光寿命等领域。

产品特点

最短光学门控短至500ps，可有效抑制噪声信号干扰

3ns典型应用光学门宽，低成本的选通成像应用

10ps级高精度时序同步，助力高精度三维时/空序列“切片”

高增益光信号放大能力，可达单光子级探测灵敏度 

先进的噪声抑制技术和图像处理功能 

可替换的光学接口 

提供Windows/Linux系统SDK 

像增强器型号可定制

产品参数

像增强器					CMOS相机
光阴极	Hi-QE GaAs		S25	S20	分辨率	2048 ×2048
等效背景照度	＜0.25μlx		＜0.25μlx	＜0.25μlx	像素尺寸	6.5μm ×6.5μm
波段范围	350-900nm		400-900nm	200-700nm	传感器尺寸	1.2"
有效孔径	ϕ 18mm				传感器有效面积	13.3mm × 13.3mm /18.8 diagonal
耦合比率	1:1				采集帧率	32fps@全幅
增益	> 10000 cd/㎡/lx（单层MCP） > 100000 cd/㎡/lx（双层MCP）				像素深度	8bit / 12bit / 16bit HDR
					曝光模式	全局重置
					曝光时间	12μs-60s
分辨率	55-65lp/mm（单层MCP）  25-35lp/mm（双层MCP）				满阱容量	HCG:12.1 / LCG:46.4 / HDR:35.8   (ke-)
					读出噪声	HCG:5.4 / LCG:21.02 / HDR:2.89   (e-)
荧光屏	P43 / P46				转换增益	HCG:2.69 / LCG:15.49 / HDR:0.55   (e-/ADU)
最短光学门宽	3ns-3000型号  500ps-500型号				暗电流	8e-/s/pix
					信噪比	HCG:40.8 / LCG:46.7 / HDR:45.5   (dB)
重复频率	最高300kHz@3ns / 10kHz@500ps				制冷方式	被动制冷
同步/门控电路
工作模式		持续高电平：设置通道持续输出4V直流信号； 内触发模式：设置通道输出0.02Hz-200kHz脉冲信号，脉冲宽度和延迟时间可调； 外触发模式：根据外触发输入频率0.1Hz-300kHz信号，输出同频率 、脉冲宽度和延迟可调的脉冲信号
同步接口		外触发输入 × 1 ；同步输出 ×2
外触发输入参数		触发阈值：0.25-3.3V可调节；输入阻抗：50Ω/10kΩ可设置；最小触发宽度：3ns
同步信号输出		2路输出通道：输出幅值4V  ，阻抗50Ω ; 通道信号参数：脉宽3ns-10s ，最小调节分辨率10ps ； 通道延迟0-10s ，最小分辨率10ps
宽度设置		2ns-10s ，分辨率10ps
外触发延迟		<85ns
内触发频率		0-300kHz
时序抖动		通道间抖动及外触发抖动＜35ps rms

产品尺寸

与此产品相关解决方案

  燃烧/等离子体诊断、荧光寿命、门控拉曼光谱、选通成像、弱光成像、激光诱导荧光/击穿光谱，适用于研究所、高校、科研组织等学术研究场所。

产品测试数据

产品详情：

中科原子ICMOS相机-2025V9.pdf